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Marques déposées par NEC CORPORATION (société organisée selon les lois du Japon
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BSTSOI
Marque enregistrée - Marque en non vigueur

BSTSOI
NEC CORPORATION (société organisée selon les lois du Japon)

Numéro de dépôt :
3161335
Date de dépôt :
24/04/2002
Lieu de dépôt :
INPI PARIS
Date d'expiration :
24/04/2012
BSTSOI de NEC CORPORATION (société organisée selon les lois du Japon

Présentation de la marque BSTSOI

Déposée le 24 avril 2002 par NEC CORPORATION (société organisée selon les lois du Japon auprès de l’Institut National de la Propriété Industrielle (INPI PARIS), la marque française « BSTSOI » a été publiée au Bulletin Officiel de la Propriété Industrielle (BOPI) sous le numéro 2002-22 du 31 mai 2002.

Le déposant est NEC CORPORATION (société organisée selon les lois du Japon) domicilié(e) 7-1, SHIBA 5-CHOME, MINATO-KU, TOKYO,JAPON - Japon.

Lors de son dépôt, il a été fait appel à un mandataire, BREVALEX domicilié(e) 3, rue du Docteur Lancereaux,75008 PARIS - 75008 - France.

La marque BSTSOI a été enregistrée au Registre National des Marques (RNM) sous le numéro 3161335.

C'est une marque semi-figurative qui a été déposée dans les classes de produits et/ou de services suivants :

09

Enregistrée pour une durée de 10 ans, la marque BSTSOI est expirée depuis le 24 avril 2012.

NEC CORPORATION (société organisée selon les lois du Japon a également déposé les autres marques suivantes : INTRONNAVI , SYSTEMGLOBE , LAMILION , ROBUSTSTREAM , NEC PLASMA DISPLAY , MOBILENETSERVER+ , FPSEID , HYPERCLUSTERENGINE LITE , CD , DIOSAGLOBE


NEC CORPORATION (société organisée selon les lois du Japon) - 7-1, SHIBA 5-CHOME, MINATO-KU, TOKYO,JAPON - Japon


BREVALEX - 3, rue du Docteur Lancereaux,75008 PARIS - 75008 - France


Inscription le 15 juillet 2003 - Transmission totale de propriété n°373956 - Publication au BOPI 2003-07-15

Enregistrement avec modification - Publication au BOPI 2002-49

Publication - Publication le 31 mai 2002 au BOPI 2002-22

Semi-conducteurs, semi-conducteurs optiques, semi-conducteurs à micro-ondes, semi-conducteurs composés, diodes, transistors, transistors à effet de champ à arséniure de gallium, circuits intégrés précaractérisés, circuits intégrés, blocs de circuits intégrés, circuits intégrés sectoriels (ASICS) , circuits intégrés hybrides, circuits intégrés à grande échelle (LSI) , circuits prédiffusés, mémoires d'ordinateur, micro-ordinateurs, mémoires mortes (ROMS) , mémoires vives (RAMS) , mémoires vives statiques (SRAMS) , mémoires vives dynamiques (drams) , mémoires mortes programmables (proms) , mémoires mortes programmables effaçables (eproms) , mémoires mortes programmables effaçables électriquement (eeproms) , mémoires mortes programmables par l'utilisateur (FPROMS) , micro-ordinateurs, unités centrales (CPUS) , dispositifs à couplage de charge (CCDS) , tableaux de connexions imprimés (PWBS) , condensateurs, résistances variables, claviers, connecteurs électriques, logiciels informatiques destinés à la conception de circuits intégrés, relais, panneaux électroluminescents, affichages à cristaux liquides, affichages à diodes électroluminescentes, tableaux de connexions pour ordinateurs et connecteurs pour branchement avec périphériques d'ordinateurs.